​吴越个人资料（全球范围内首次厚度突破1cm）

吴越个人资料（全球范围内首次厚度突破1cm）

吴越个人资料（全球范围内首次厚度突破1cm）

12月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在无锡高新区举行，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。

无锡吴越半导体有限公司成立于2025年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。2025年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目。

根据此前的资料显示，吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目总投资约人民币37亿元，计划用地50亩，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。

全部建成投产后，不仅能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链，创造年30亿元的销售额，还能够填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白，提升我国半导体事业的发展水准。